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“科创中国”技术路演 ——宽禁带半导体技术（深圳）专场的通知
2023-08-21
各相关单位：
“科创中国”技术路演旨在落实中国科协服务科技经济融合发展行动，构建政产学研用金介合作平台，打通产业链、创新链，创新资源云聚集、优质项目云分享、创新主体云联结，推进创新成果转移转化，助力创业项目成长壮大，促进国际科技创新合作，推动技术要素与资本要素融合发展。
本期宽禁带半导体技术（深圳）专场活动由中国科学技术协会主办，中国科协企业创新服务中心、深圳市科学技术协会、中关村产业技术联盟联合会、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟承办，活动当天发布5个宽禁带半导体领域创新创业项目，并邀请业界相关技术专家、投资人、产业专家做线上点评、交流、对接。
【资料图】
路演信息
一、路演时间
2023年8月24日（星期四）
14:00至16:10
二、路演平台
科创中国
三、组织机构
（一）主办单位
中国科学技术协会
（二）承办单位
中国科协企业创新服务中心
深圳市科学技术协会
中关村产业技术联盟联合会
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
（三）技术支持
科创中国
（四）合作单位
创业邦
路演议程
报名及观摩方式
欢迎各界人士积极报名观摩此次路演活动。请扫描下方二维码报名线上观摩！报名成功后系统将自动跳转显示入群二维码，需扫码入群，直播链接将于活动当天在群内发布。同时，可以关注【宽禁带联盟】视频号，将会发起同步直播。
宽禁带半导体技术创新联盟
2023年8月18日
联系人：侯喜锋
联系方式：13811837211
○ 路演项目介绍 ○
项目一
项目名称：大尺寸碳化硅衬底研发及其产业化
公司名称：成都粤海金半导体材料有限公司
导电型碳化硅衬底片用于制作大功率电子电力器件，本项目产品工艺目前已经取得重大突破，全新6英寸导电型衬底片工艺包已落地，综合成本稳步降低，生产良率快速提高，产品对标国内、国际一流厂商，目前大部分重要指标已达相同标准。已申请知识产权50余项，40余项已获授权，其中发明专利10项、实用新型15项、软著6项、专有技术9项。
项目二
项目名称：电阻法助力大尺寸碳化硅晶体生长研发及产业化
公司名称：苏州优晶光电科技有限公司
电阻法碳化硅单晶生长炉相比感应法单晶生长炉，通过石墨电阻发热体提供热量，具有轴向温度可控，径向温度梯度可调的优势，适合生长更大尺寸的碳化硅单晶，等温线较为平缓，生长速度快，长晶周期短，更适合碳化硅未来大尺寸高效率的发展方向。本项目解决了大尺寸（8英寸）碳化硅单晶生长装备与大尺寸（8英寸）碳化硅单晶热场及工艺开发重点技术难题。
项目三
项目名称：碳化硅衬底的切磨抛整体解决方案
公司名称：河南联合精密股份有限公司
本项目为碳化硅衬底切磨抛工艺提供了完成的加工开发方案，进行了金刚石砂浆多线切割工艺对晶片品质的研究及优化；金刚石研磨液双面粗磨工艺对晶片加工效率及晶片品质的研究及优化；金刚石研磨液双面精磨工艺对晶片加工效率及晶片品质的影响及优化；氧化铝抛光液双面粗抛工艺对晶片加工效率及晶片品质的影响及优化；氧化硅抛光液Si面精抛工艺晶片加工效率及晶片品质的影响及优化。
项目四
项目名称：碳化硅晶圆高效精细磨抛用金刚石基耗材的研发及产业化
公司名称：东莞市中微力合半导体科技有限公司
双碳背景下的新能源汽车等技术发展亟需高功率碳化硅基芯片等器件，基于此背景，本项目团队聚焦碳化硅晶圆加工用金刚石研磨液、金刚石研磨垫、蜂窝垫、晶圆减薄砂轮的开发，并取得了重要进展，行业试用户试用验证数据表明：产品在碳化硅晶圆加工性能等方面处于国内外同类产品的领先水平，产品广泛应用于碳化硅衬底/晶圆，化合物半导体，陶瓷基板，蓝宝石，硅基芯片，光学玻璃等。
项目五
项目名称：昂坤设备在SiC检测领域的最新进展
公司名称：昂坤视觉（北京）科技有限公司
本项目从关键技术核心为设备所使用的光学镜头、光学系统和算法、软件完全由我司自主研发设计，拥有完全自主知识产权。公司设备为应对不同晶圆材质采用10倍双远心微分干涉光学镜头并配备有明场检测、暗场检测、光致发光检测。暗场下可以检测最小颗粒缺陷到80纳米，明场下可以检测最小缺陷到200纳米。设备扫描方式为激光弓形线扫，在缺陷捕捉方面基本不存在缺陷漏检。
○评审嘉宾介绍 ○
技术点评专家
王文军
中国科学院物理研究所研究员，
北京硅酸盐学会副理事长
专家简介： 1998年在兰州大学获学士学位，2001年在兰州大学获硕士学位，2004年在中国科学院物理研究所获博士学位，2004年赴日本福井大学从事博士后研究工作，2006年回国工作至今。主要从事宽禁带半导体材料SiC、AlN晶体生长及物性研究工作。发表SCI收录论文80余篇，授权发明专利19项。2015年获新疆生产建设兵团科技进步一等奖（排名第四），2020年获中国科学院科技促进发展奖（排名第二）。北京硅酸盐学会副理事长，中国晶体学会常务理事，中国晶体学会粉末衍射专业委员会副主任，中国物理学会X射线衍射专业委员会秘书长，国际衍射数据中心（ICDD）委员。
技术领域： 宽禁带半导体新材料领域。
投资机构嘉宾
胡少旭
安芯投资管理有限责任公司高级投资经理
专家简介： 2013年博士毕业于中科院半导体所，物理电子学专业。2013-2017年就职于中科院半导体所，任职助理研究员，独立获得1项国家青年自然科学基金，曾发表5篇SCI。2017年起专注于半导体领域投资，擅长光电、设备等领域投资。
关注阶段： VC/PE
投资案例： 烁科精微、特思迪、东方晶源、行芯科技、洛微科技、思朗科技等。
产业界专家
郑红军
北京三平泰克科技有限责任公司 常务副总经理
专家简介： 毕业于吉林大学物理系固体物理专业，先后担任中国科学院半导体所材料室高级工程师，国内知名砷化镓企业中科镓英、中科晶电生产运营总监及分公司常务副总兼总工，国内碳化硅材料领军企业天科合达半导体股份有限公司生产运营总监，全国半导体材料及设备标委会委员。从事砷化镓、碳化硅等半导体材料产业化生产至今已达二十年，在此期间，主持北京中科镓英、中科晶电（北京）及山西中科晶电等公司的生产运营，工艺优化及品质管控工作，2020年被全国半导体材料与设备标委会授予“特殊贡献奖”。
技术领域： 宽禁带半导体生产加工领域。